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IRG4PC50KDPBF

更新时间: 2024-09-29 04:44:35
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11页 646K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRG4PC50KDPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:End Of Life
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.19
Is Samacsys:N其他特性:ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):52 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:6 V门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-247ACJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):104 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):480 ns
标称接通时间 (ton):107 nsBase Number Matches:1

IRG4PC50KDPBF 数据手册

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PD- 95235  
IRG4PC50KDPbF  
Lead-Free  
www.irf.com  
1
05/04/04  

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