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IRG4PC40W-E

更新时间： 2024-11-02 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 121K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRG4PC40W-E 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-247AD, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.63其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：294 ns标称接通时间 (ton)：48 ns
Base Number Matches：1

IRG4PC40W-E 数据手册

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PD -91656C  
IRG4PC40W  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR  
C
Features  
• Designed expressly for Switch-Mode Power  
Supply and PFC (power factor correction)  
applications  
VCES =600V  
• Industry-benchmark switching losses improve  
efficiency of all power supply topologies  
• 50% reduction of Eoff parameter  
V
CE(on) typ. = 2.05V  
G
@VGE = 15V, IC = 20A  
E
• Low IGBT conduction losses  
n-channel  
• Latest-generation IGBT design and construction offers  
tighter parameters distribution, exceptional reliability  
Benefits  
• Lower switching losses allow more cost-effective  
operation than power MOSFETs up to 150 kHz  
("hard switched" mode)  
• Of particular benefit to single-ended converters and  
boost PFC topologies 150W and higher  
• Low conduction losses and minimal minority-carrier  
recombination make these an excellent option for  
resonant mode switching as well (up to >>300 kHz)  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
IC @ TC = 25°C  
40  
IC @ TC = 100°C  
20  
A
ICM  
160  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
160  
VGE  
± 20  
160  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
160  
W
PD @ TC = 100°C  
Maximum Power Dissipation  
65  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.77  
–––  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
–––  
6 (0.21)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
4/15/2000  
1234567...9

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与IRG4PC40W-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC40W-EPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC40WPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50F INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
IRG4PC50FD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
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