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IRG4PC50K

更新时间： 2024-09-28 22:32:27
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 118K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)

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IRG4PC50K 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.55Is Samacsys：N
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：52 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：120 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：200 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：430 ns标称接通时间 (ton)：72 ns
VCEsat-Max：2.2 VBase Number Matches：1

IRG4PC50K 数据手册

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PD - 91583B  
IRG4PC50K  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR  
C
Features  
• High short circuit rating optimized for motor control,  
tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,  
VGE = 15V  
VCES = 600V  
• Combines low conduction losses with high  
switching speed  
V
CE(on) typ. = 1.84V  
G
• Latest generation design provides tighter parameter  
distribution and higher efficiency than previous  
generations  
@VGE = 15V, IC = 30A  
E
n-channel  
Benefits  
• As a Freewheeling Diode we recommend our  
HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for  
minimum EMI / Noise and switching losses in the  
Diode and IGBT  
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power  
density motor controls possible  
• This part replaces the IRGPC50K and IRGPC50M  
devices  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
IC @ TC = 25°C  
52  
IC @ TC = 100°C  
30  
A
ICM  
104  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
104  
tsc  
10  
µs  
V
VGE  
±20  
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
170  
mJ  
W
PD @ TC = 25°C  
200  
PD @ TC = 100°C  
78  
TJ  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.64  
–––  
40  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
–––  
6 (0.21)  
–––  
www.irf.com  
1
4/15/2000  
12345678

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IRG4PC50K 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC50KPBF INFINEON

完全替代

 Short Circuit Rated UltraFast IGBT

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IRG4PC50KD INFINEON

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IRG4PC50KDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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