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IRG4PC50FD

更新时间： 2024-02-23 14:35:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 214K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)

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IRG4PC50FD 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：55 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：86 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：272 ns标称接通时间 (ton)：74 ns
Base Number Matches：1

IRG4PC50FD 数据手册

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PD 91469B  
IRG4PC50FD  
Fast CoPack IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
C
• Fast: Optimized for medium operating  
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20  
kHz in resonant mode).  
VCES = 600V  
V
CE(on) typ. = 1.45V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
G
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in  
bridge configurations  
@VGE = 15V, IC = 39A  
E
n-channel  
• Industry standard TO-247AC package  
Benefits  
• Generation -4 IGBT's offer highest efficiencies  
available  
• IGBT's optimized for specific application conditions  
• HEXFRED diodes optimized for performance with  
IGBT's . Minimized recovery characteristics require  
less/no snubbing  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBT's  
Absolute Maximum Ratings  
TO-247AC  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
IC @ TC = 25°C  
70  
IC @ TC = 100°C  
39  
ICM  
280  
A
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
280  
IF @ TC = 100°C  
25  
IFM  
280  
VGE  
± 20  
200  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
W
PD @ TC = 100°C  
78  
TJ  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Min.  
------  
------  
------  
-----  
Typ.  
------  
------  
0.24  
Max.  
0.64  
0.83  
------  
40  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
°C/W  
-----  
------  
6 (0.21)  
------  
g (oz)  
www.irf.com  
1
12/30/00  
1234567...10

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与IRG4PC50FD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC50FD-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC50FD-EPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC50FDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50F-EPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50FPBF INFINEON

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 		Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50K INFINEON

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IRG4PC50KD INFINEON

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IRG4PC50KDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50KPBF INFINEON

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 		Short Circuit Rated UltraFast IGBT

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