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IRG4PC50S-EPBF PDF预览

IRG4PC50S-EPBF

更新时间： 2024-11-02 13:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 148K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRG4PC50S-EPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.53Is Samacsys：N
其他特性：STANDARD SPEED外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：70 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1700 ns
标称接通时间 (ton)：62 nsBase Number Matches：1

IRG4PC50S-EPBF 数据手册

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PD 91468C  
IRG4PC50F  
Fast Speed IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
Features  
• Optimized for medium operating  
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20  
kHz in resonant mode).  
VCES =600V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
V
CE(on) typ. = 1.45V  
G
@VGE = 15V, IC = 39A  
E
• Industry standard TO-247AC package  
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available  
• IGBT's optimized for specified application conditions  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBT's  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
600  
V
IC @ TC = 25°C  
70  
IC @ TC = 100°C  
39  
280  
A
ICM  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
280  
VGE  
± 20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
20  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
200  
W
PD @ TC = 100°C  
Maximum Power Dissipation  
78  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.64  
–––  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
–––  
6 (0.21)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
12/30/00  
12345678

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与IRG4PC50S-EPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC50S-P INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4PC50SPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50S-PPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, LEAD FREE
IRG4PC50U INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC50UD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4PC50UD-EPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC50UDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50UHR INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, TO-3P, 3
IRG4PC50UPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC50W INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)

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