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IRG4PC50S

更新时间： 2024-02-15 21:18:55

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
8页	164K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.28V, @Vge=15V, Ic=41A)

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IRG4PC50S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	55 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	86 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	272 ns	标称接通时间 (ton)：	74 ns
Base Number Matches：	1

IRG4PC50S 数据手册

PD - 91581A

IRG4PC50S

Standard Speed IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• Standard: Optimized for minimum saturation

voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

V_CES= 600V

V_{CE(on) typ.}= 1.28V

• Industry standard TO-247AC package

@V_GE= 15V, I_C= 41A

n-channel

Benefits

• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available

• IGBT's optimized for specified application conditions

• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent

industry-standard Generation 3 IR IGBT's

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

600

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

140

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

140

V_GE

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

200

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

300 (0.063 in. (1.6mm) from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

0.64

–––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

0.24

°C/W

–––

6.0 (0.21)

–––

g (oz)

www.irf.com

2/7/2000

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4PC50SDPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50S-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC50S-EPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC50S-P	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4PC50SPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50S-PPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, LEAD FREE
IRG4PC50U	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC50UD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4PC50UD-EPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC50UDPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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