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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 55 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 272 ns | 标称接通时间 (ton)： | 74 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PC50WPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4PC60F | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4PC60F-EP | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
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| IRG4PC60F-P | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT |
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| IRG4PC60FPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT |
|
| IRG4PC60F-PPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT) |
|
| IRG4PC60U | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4PC60U-EP | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
|
| IRG4PC60U-P | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
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| IRG4PC60UPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
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