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IRG4PC60UPBF

更新时间： 2024-11-21 04:44:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

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IRG4PC60UPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	520 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	460 ns	标称接通时间 (ton)：	78 ns
Base Number Matches：	1

IRG4PC60UPBF 数据手册

PD - 95568

IRG4PC60UPbF

UltraFast Speed IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

UltraFast: Optimized for high operating

frequencies up to 50 kHz in hard switching,

>200 kHz in resonant mode.

V_CES=600V

Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency.

V_{CE(on) typ.}= 1.6V

Industry standard TO-247AC package.

Lead-Free

@V_GE= 15V, I_C= 40A

n-channel

Benefits

Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available.

IGBT's optimized for specified application conditions.

Designed for best performance when used with IR

Hexfred & IR Fred companion diodes.

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

600

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

300

± 20

200

520

210

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

V_GE

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C

Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

300 (0.063 in. (1.6mm from case )

10 lbfin (1.1Nm)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

----

Max.

0.24

----

Units

°C/W

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

0.24

----

6 (0.21)

----

g (oz)

www.irf.com

07/15/04

12 3 4 5 6 7...9

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