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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 11 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 730 ns | 标称接通时间 (ton)： | 80 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PC40UDPBF | INFINEON |
类似代替  |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
|
| IGW60T120 | INFINEON |
类似代替 |
Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology |
|
| IGW40T120 | INFINEON |
类似代替 |
Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PH20K-EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD |
|
| IRG4PH20KPBF | INFINEON |
获取价格 |
Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
|
| IRG4PH30 | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
|
| IRG4PH30K | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
|
| IRG4PH30KD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty |
|
| IRG4PH30KDPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
|
| IRG4PH30KPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT |
|
| IRG4PH40FD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
|
| IRG4PH40K | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.74V, @Vge=15V, Ic=15A) |
|
| IRG4PH40KD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty |
|
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