Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRG4PH20K-EPBF

IRG4PH20K-EPBF

更新时间： 2024-01-24 02:16:57

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管栅
页数	文件大小	规格书
8页	232K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRG4PH20K-EPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	11 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	400 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	24 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	720 ns	标称接通时间 (ton)：	51 ns
Base Number Matches：	1

IRG4PH20K-EPBF 数据手册

PD -91776

IRG4PH20K

Short Circuit Rated

UltraFast IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• High short circuit rating optimized for motor control,

t_sc=10µs, V_CC= 720V , T_J= 125°C,

V_GE= 15V

V_CES= 1200V

• Combines low conduction losses with high

switching speed

V_{CE(on) typ.}= 3.17V

• Latest generation design provides tighter parameter

distribution and higher efficiency than previous

generations

@V_GE= 15V, I_C= 5.0A

n-channel

Benefits

• As a Freewheeling Diode we recommend our

HEXFRED^TMultrafast, ultrasoft recovery diodes for

minimum EMI / Noise and switching losses in the

Diode and IGBT

• Latest generation 4 IGBT's offer highest power

density motor controls possible

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

Clamped Inductive Load Current

Short Circuit Withstand Time

Gate-to-Emitter Voltage

1200

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

5.0

I_CM

I_LM

t_sc

±20

µs

V_GE

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

130

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

2.1

Units

R_θJC

R_θCS

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

0.24

–––

°C/W

R_θJA

–––

6 (0.21)

–––

g (oz)

www.irf.com

6/25/98

12 3 4 5 6 7 8

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与IRG4PH20K-EPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4PH20KPBF	INFINEON	获取价格	Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PH30	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
IRG4PH30K	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
IRG4PH30KD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PH30KDPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH30KPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT
IRG4PH40FD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PH40K	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.74V, @Vge=15V, Ic=15A)
IRG4PH40KD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PH40KD-E	INFINEON	获取价格	暂无描述

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