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IRG4PF50WD

更新时间： 2024-02-17 03:40:10
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 254K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4PF50WD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AC
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：2.77
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：51 A集电极-发射极最大电压：900 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：220 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：250
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：370 ns
标称接通时间 (ton)：54 nsBase Number Matches：1

IRG4PF50WD 数据手册

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PD- 91788  
IRG4PF50WD  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
Features  
• Optimized for use in Welding and Switch-Mode  
Power Supply applications  
VCES = 900V  
• Industry benchmark switching losses improve  
efficiency of all power supply topologies  
• 50% reduction of Eoff parameter  
VCE(on) typ. = 2.25V  
G
• Low IGBT conduction losses  
• Latest technology IGBT design offers tighter  
@VGE = 15V, IC = 28A  
E
parameter distribution coupled with  
exceptional reliability  
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in  
bridge configurations  
n-channel  
• Industry standard TO-247AC package  
Benefits  
• Lower switching losses allow more cost-effective  
operation and hence efficient replacement of larger-die  
MOSFETs up to 100kHz  
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.  
Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and  
switching losses  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
900  
V
IC @ TC = 25°C  
51  
28  
IC @ TC = 100°C  
A
ICM  
204  
ILM  
204  
IF @ TC = 100°C  
IFM  
16  
204  
VGE  
± 20  
200  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
78  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.64  
0.83  
–––  
40  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
RθJC  
–––  
°C/W  
RθCS  
0.24  
RθJA  
–––  
Wt  
6 (0.21)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
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与IRG4PF50WD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PF50WD-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 51A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PF50WDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PF50W-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 51A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
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IRG4PG40FD INFINEON

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