Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRG4PC60F-P

IRG4PC60F-P

更新时间： 2024-11-21 04:44:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT

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IRG4PC60F-P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	90 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	770 ns	标称接通时间 (ton)：	105 ns
Base Number Matches：	1

IRG4PC60F-P 数据手册

PD - 94440

IRG4PC60F-P

Fast Speed IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

V_CES=600V

• Fast: Optimized for medium operating

frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20

kHz in resonant mode).

V_CE(on)typ. = 1.50V

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency.

• Solder plated version of industry standard

TO-247AC package.

@V_GE= 15V, I_C= 60A

n-channel

Benefits

• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available.

• IGBT's optimized for specified application conditions.

• Solder plated version of the TO-247 allows the reflow

soldering of the package heatsink to a substrate material.

• Designed for best performance when used with IR

HEXFRED & IR FRED companion diodes.

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

600

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

120

± 20

200

520

210

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

V_GE

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C

Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Maximum Reflow Temperature

300 (0.063 in. (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

230 (Time above 183°C

should not exceed 100s)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

0.24

–––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient (Typical Socket Mount)

Junction-to-Ambient (PCB Mount, Steady State)

Weight

0.24

°C/W

–––

6 (0.21)

–––

g (oz)

www.irf.com

04/26/02

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRG4PC60F-PPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT)
IRG4PC60U	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60U-EP	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC60U-P	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
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