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IRG4PC60F-P

更新时间： 2024-02-19 21:06:56

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT

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IRG4PC60F-P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247AC	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	其他特性：	ULTRA FAST SPEED
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	250
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	520 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	460 ns
标称接通时间 (ton)：	78 ns	Base Number Matches：	1

IRG4PC60F-P 数据手册

PD - 94440

IRG4PC60F-P

Fast Speed IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

V_CES=600V

• Fast: Optimized for medium operating

frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20

kHz in resonant mode).

V_CE(on)typ. = 1.50V

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency.

• Solder plated version of industry standard

TO-247AC package.

@V_GE= 15V, I_C= 60A

n-channel

Benefits

• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available.

• IGBT's optimized for specified application conditions.

• Solder plated version of the TO-247 allows the reflow

soldering of the package heatsink to a substrate material.

• Designed for best performance when used with IR

HEXFRED & IR FRED companion diodes.

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

600

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

120

± 20

200

520

210

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

V_GE

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C

Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Maximum Reflow Temperature

300 (0.063 in. (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

230 (Time above 183°C

should not exceed 100s)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

0.24

–––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient (Typical Socket Mount)

Junction-to-Ambient (PCB Mount, Steady State)

Weight

0.24

°C/W

–––

6 (0.21)

–––

g (oz)

www.irf.com

04/26/02

12 3 4 5 6 7 8

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