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IRG4PC50UPBF

更新时间： 2024-02-07 12:11:47
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
9页 636K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

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IRG4PC50UPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：55 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：86 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：272 ns标称接通时间 (ton)：74 ns
Base Number Matches：1

IRG4PC50UPBF 数据手册

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PD -95186  
IRG4PC50UPbF  
UltraFast Speed IGBT  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR  
C
Features  
• UltraFast: Optimized for high operating  
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200  
kHz in resonant mode  
VCES =600V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
• Industry standard TO-247AC package  
• Lead-Free  
V
CE(on) typ. = 1.65V  
G
@VGE = 15V, IC = 27A  
E
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available  
• IGBT's optimized for specified application conditions  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBT's  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
600  
V
IC @ TC = 25°C  
55  
IC @ TC = 100°C  
27  
220  
A
ICM  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
220  
VGE  
± 20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
20  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
200  
W
°C  
PD @ TC = 100°C  
Maximum Power Dissipation  
78  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
----  
Max.  
0.64  
----  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
----  
40  
6 (0.21)  
----  
g (oz)  
www.irf.com  
1
04/26/04  
1234567...9

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IRG4PC50UPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC50SPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50WPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50UDPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IRG4PC50UPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC50W INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC50WPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60F INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60F-EP INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC60F-P INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4PC60FPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4PC60F-PPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT)
IRG4PC60U INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60U-EP INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC60U-P INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

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