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IRG4PC50FD-EPBF

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 超快软恢复二极管快速软恢复二极管局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 758K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRG4PC50FD-EPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：TO-247AD, 3 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.57其他特性：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：70 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：660 ns
标称接通时间 (ton)：86 nsBase Number Matches：1

IRG4PC50FD-EPBF 数据手册

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PD -95225  
IRG4PC50FDPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Fast CoPack IGBT  
Features  
C
• Fast: Optimized for medium operating  
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20  
kHz in resonant mode).  
VCES = 600V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
V
CE(on) typ. = 1.45V  
G
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in  
bridge configurations  
@VGE = 15V, IC = 39A  
E
n-channel  
• Industry standard TO-247AC package  
• Lead-Free  
Benefits  
• Generation -4 IGBT's offer highest efficiencies  
available  
• IGBT's optimized for specific application conditions  
• HEXFRED diodes optimized for performance with  
IGBT's . Minimized recovery characteristics require  
less/no snubbing  
• Designed to be a "drop-in" replacement for  
equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBT's  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
IC @ TC = 25°C  
70  
IC @ TC = 100°C  
39  
ICM  
280  
A
ILM  
280  
IF @ TC = 100°C  
25  
IFM  
280  
VGE  
± 20  
200  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
78  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
------  
------  
------  
-----  
Typ.  
------  
Max.  
0.64  
0.83  
------  
40  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
------  
°C/W  
0.24  
-----  
------  
6 (0.21)  
------  
g (oz)  
04/29/04  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC50FDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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