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IRG4PC40KDPBF PDF预览

IRG4PC40KDPBF

更新时间： 2024-09-27 04:44:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管功率控制栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
11页 322K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4PC40KDPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.2
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：42 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：150 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：360 ns
标称接通时间 (ton)：89 nsBase Number Matches：1

IRG4PC40KDPBF 数据手册

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PD -94912  
IRG4PC40KDPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
C
• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for  
high operating frequencies >5ꢀ0 kHz , and Short  
Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
VCES = 600V  
VCE(on) typꢀ = 2ꢀ1V  
@VGE = 15V, IC = 25A  
G
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in  
bridge configurations  
E
n-channel  
• Industry standard TO-247AC package  
• Lead-Free  
Benefits  
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies  
available  
• HEXFRED diodes optimized for performance with  
IGBTsꢀ Minimized recovery characteristics require  
less/no snubbing  
• Designed to be a "drop-in" replacement for  
equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Maxꢀ  
Units  
VCES  
C @ TC = 25°C  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
I
42  
IC @ TC = 100°C  
25  
ICM  
8
4
A
ILM  
84  
IF @ TC = 100°C  
15  
IFM  
84  
10  
tsc  
µs  
V
VGE  
± 20  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
160  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
65  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 secꢀ  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screwꢀ  
°C  
300 (0ꢀ063 inꢀ (1ꢀ6mm) from case)  
10 lbf•in (1ꢀ1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Minꢀ  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typꢀ  
–––  
Maxꢀ  
0ꢀ77  
1ꢀ7  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
–––  
°C/W  
0ꢀ24  
–––  
40  
–––  
6 (0ꢀ21)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
12/29/03  
1234567...11

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IRG4PC40KDPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC40KPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4BC40UPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC40UDPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IRG4PC40KDPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC40KPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PC40MD INFINEON

获取价格

 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PC40S INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A)
IRG4PC40SD INFINEON

获取价格

 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PC40SPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4PC40U INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC40UD INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)ty
IRG4PC40UD2 INFINEON

获取价格

 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PC40UD-E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC40UD-EPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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