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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.36 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 52 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 最大降落时间（tf）： | 120 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 430 ns | 标称接通时间 (ton)： | 72 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PC50K | INFINEON |
完全替代  |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PC50S | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.28V, @Vge=15V, Ic=41A) |
|
| IRG4PC50SDPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
|
| IRG4PC50S-E | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
|
| IRG4PC50S-EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
|
| IRG4PC50S-P | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT |
|
| IRG4PC50SPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
|
| IRG4PC50S-PPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, LEAD FREE |
|
| IRG4PC50U | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A) |
|
| IRG4PC50UD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ |
|
| IRG4PC50UD-EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
|
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