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IRG4PC40UPBF PDF预览

IRG4PC40UPBF

更新时间： 2024-01-20 07:47:06
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 633K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

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IRG4PC40UPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：110 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：294 ns
标称接通时间 (ton)：48 nsBase Number Matches：1

IRG4PC40UPBF 数据手册

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PD-95184  
IRG4PC40UPbF  
UltraFast Speed IGBT  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR  
C
Features  
• UltraFast: Optimized for high operating  
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200  
kHz in resonant mode  
VCES =600V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
• Industry standard TO-247AC package  
• Lead-Free  
V
CE(on) typ. = 1.72V  
G
@VGE = 15V, IC = 20A  
E
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available  
• IGBT's optimized for specified application conditions  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBT's  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
40  
20  
IC @ TC = 100°C  
A
ICM  
160  
ILM  
160  
VGE  
±20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
15  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
160  
W
°C  
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
65  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
Min.  
------  
------  
------  
------  
Typ.  
------  
0.24  
Max.  
0.77  
------  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
------  
6 (0.21)  
------  
g (oz)  
www.irf.com  
1
04/23/04  
12345678

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IRG4PC40UPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC40U INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC50WPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50UDPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IRG4PC40UPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC40W INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC40W-E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC40W-EPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC40WPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50F INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
IRG4PC50FD INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4PC50FD-E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC50FD-EPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC50FDPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50F-EPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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