5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRG4PC40UPBF
IRG4PC40UPBF PDF预览

IRG4PC40UPBF

更新时间： 2024-11-02 04:44:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 633K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRG4PC40UPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.18
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：380 ns
标称接通时间 (ton)：49 nsBase Number Matches：1

IRG4PC40UPBF 数据手册

 浏览型号IRG4PC40UPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRG4PC40UPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRG4PC40UPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRG4PC40UPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRG4PC40UPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRG4PC40UPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD-95184  
IRG4PC40UPbF  
UltraFast Speed IGBT  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR  
C
Features  
• UltraFast: Optimized for high operating  
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200  
kHz in resonant mode  
VCES =600V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
• Industry standard TO-247AC package  
• Lead-Free  
V
CE(on) typ. = 1.72V  
G
@VGE = 15V, IC = 20A  
E
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available  
• IGBT's optimized for specified application conditions  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBT's  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
40  
20  
IC @ TC = 100°C  
A
ICM  
160  
ILM  
160  
VGE  
±20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
15  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
160  
W
°C  
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
65  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
Min.  
------  
------  
------  
------  
Typ.  
------  
0.24  
Max.  
0.77  
------  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
------  
6 (0.21)  
------  
g (oz)  
www.irf.com  
1
04/23/04  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRG4PC40UPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC40U INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC50WPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50UDPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IRG4PC40UPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC40W INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC40W-E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC40W-EPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC40WPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50F INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
IRG4PC50FD INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4PC50FD-E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC50FD-EPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC50FDPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50F-EPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

与IRG4PC40UPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证