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IRG4PC40U

更新时间： 2024-02-26 12:25:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 150K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)

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IRG4PC40U 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：110 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：294 ns
标称接通时间 (ton)：48 nsBase Number Matches：1

IRG4PC40U 数据手册

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PD 91466E  
IRG4PC40U  
UltraFast Speed IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
Features  
• UltraFast: Optimized for high operating  
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200  
kHz in resonant mode  
VCES =600V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
V
CE(on) typ. = 1.72V  
G
@VGE = 15V, IC = 20A  
E
• Industry standard TO-247AC package  
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available  
• IGBT's optimized for specified application conditions  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBT's  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
40  
20  
IC @ TC = 100°C  
A
ICM  
160  
ILM  
160  
VGE  
±20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
15  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
160  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
65  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Min.  
------  
------  
------  
------  
Typ.  
------  
Max.  
0.77  
------  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
------  
6 (0.21)  
------  
g (oz)  
www.irf.com  
1
12/30/00  
12345678

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IRG4PC40U 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC40UPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

与IRG4PC40U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC40UD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)ty
IRG4PC40UD2 INFINEON

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 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PC40UD-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC40UD-EPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC40U-EPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRG4PC40UPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC40W INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,

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