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IRG4PH40K-E

更新时间： 2024-01-08 19:26:12

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	246K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRG4PH40K-E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1200 ns
标称接通时间 (ton)：	53 ns	Base Number Matches：	1

IRG4PH40K-E 数据手册

PD - 91578B

IRG4PH40K

Short Circuit Rated

UltraFast IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• High short circuit rating optimized for motor control,

t_sc=10µs, V_CC= 720V , T_J= 125°C,

V_GE= 15V

• Combines low conduction losses with high

switching speed

V_CES= 1200V

V_{CE(on) typ.}= 2.74V

• Latest generation design provides tighter parameter

distribution and higher efficiency than previous

generations

@V_GE= 15V, I_C= 15A

n-channel

Benefits

• As a Freewheeling Diode we recommend our

HEXFRED^TMultrafast, ultrasoft recovery diodes for

minimum EMI / Noise and switching losses in the

Diode and IGBT

• Latest generation 4 IGBT's offer highest power

density motor controls possible

• This part replaces the IRGPH40K and IRGPH40M

devices

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

Clamped Inductive Load Current

Short Circuit Withstand Time

Gate-to-Emitter Voltage

1200

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

I_LM

t_sc

µs

V_GE

E_ARV

180

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 25°C

160

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

0.77

–––

Units

°C/W

g (oz)

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

0.24

–––

6 (0.21)

–––

www.irf.com

2/7/2000

12 3 4 5 6 7 8

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与IRG4PH40K-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4PH40KPBF	INFINEON	获取价格	Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PH40MD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PH40S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-247AC
IRG4PH40SD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PH40U	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
IRG4PH40UD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PH40UD2	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-E	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-EP	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-EPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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