5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRG4PH40KD
IRG4PH40KD PDF预览

IRG4PH40KD

更新时间： 2024-11-20 22:16:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 217K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRG4PH40KD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.01Is Samacsys：N
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：30 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：330 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：160 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：730 ns标称接通时间 (ton)：82 ns
VCEsat-Max：3.4 VBase Number Matches：1

IRG4PH40KD 数据手册

 浏览型号IRG4PH40KD的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRG4PH40KD的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRG4PH40KD的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRG4PH40KD的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRG4PH40KD的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRG4PH40KD的Datasheet PDF文件第7页 
PD- 91577B  
IRG4PH40KD  
Short Circuit Rated  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
• High short circuit rating optimized for motor control,  
tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C,  
VGE = 15V  
UltraFast IGBT  
C
VCES = 1200V  
VCE(on) typ. = 2.74V  
• Combines low conduction losses with high  
switching speed  
G
@VGE = 15V, IC = 15A  
• Tighter parameter distribution and higher efficiency  
than previous generations  
E
n-channel  
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultrasoft recovery antiparallel diodes  
Benefits  
• Latest generation 4 IGBT's offer highest power density  
motor controls possible  
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.  
Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and  
switching losses  
• This part replaces the IRGPH40KD2 and IRGPH40MD2  
products  
• For hints see design tip 97003  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
1200  
V
IC @ TC = 25°C  
30  
IC @ TC = 100°C  
15  
ICM  
60  
A
ILM  
60  
IF @ TC = 100°C  
8.0  
IFM  
tsc  
130  
10  
µs  
V
VGE  
20  
160  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
65  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
0.77  
1.7  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
°C/W  
0.24  
–––  
40  
–––  
6 (0.21)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
2/7/2000  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与IRG4PH40KD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PH40KD-E INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRG4PH40KDPBF INFINEON

获取价格

 		INSUALATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH YLTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40K-E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IRG4PH40KPBF INFINEON

获取价格

 		Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PH40MD INFINEON

获取价格

 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PH40S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-247AC
IRG4PH40SD INFINEON

获取价格

 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PH40U INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
IRG4PH40UD INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PH40UD2 INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IRG4PH40KD相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证