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IRG4PH30KDPBF

更新时间: 2024-02-24 09:12:12
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10页 469K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRG4PH30KDPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:6.08
其他特性:LOW CONDUCTION LOSS外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):20 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE最大降落时间(tf):170 ns
门极发射器阈值电压最大值:6 V门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-247ACJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):42 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):640 ns
标称接通时间 (ton):53 nsBase Number Matches:1

IRG4PH30KDPBF 数据手册

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PD - 95400  
IRG4PH30KDPbF  
Lead-Free  
www.irf.com  
1
6/17/04  

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