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IRG4PH40MD

更新时间： 2024-02-11 07:57:33

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35页	97K
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Fit Rate / Equivalent Device Hours

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IRG4PH40MD 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	41 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	190 ns
门极发射器阈值电压最大值：	3 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	690 ns
标称接通时间 (ton)：	49 ns	Base Number Matches：	1

Quarterly Reliability Report

for

T0247 / T0220 Products Manufactured at

IRGB

IGBT / CoPack

ISSUE.3.

October 1997

IGBT / CoPack

Quarterly Reliability Report

Page 1 of 35

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4PH40S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-247AC
IRG4PH40SD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PH40U	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
IRG4PH40UD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PH40UD2	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-E	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-EP	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-EPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-EPBF_15	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-EPPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, LEAD FRE