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IRG4PH30K

更新时间： 2024-11-20 22:16:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管栅
页数	文件大小	规格书
8页	161K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

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IRG4PH30K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	640 ns
标称接通时间 (ton)：	53 ns

IRG4PH30K 数据手册

PD -91580A

IRG4PH30K

Short Circuit Rated

UltraFast IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• High short circuit rating optimized for motor control,

t_sc=10µs, V_CC= 720V , T_J= 125°C,

V_CES= 1200V

V_GE= 15V

• Combines low conduction losses with high

switching speed

V_{CE(on) typ.}= 3.10V

• Latest generation design provides tighter parameter

distribution and higher efficiency than previous

generations

@V_GE= 15V, I_C= 10A

n-channel

Benefits

• As a Freewheeling Diode we recommend our

HEXFRED^TMultrafast, ultrasoft recovery diodes for

minimum EMI / Noise and switching losses in the

Diode and IGBT

• Latest generation 4 IGBT's offer highest power

density motor controls possible

• This part replaces the IRGPH30K and IRGPH30M

devices

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

1200

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Short Circuit Withstand Time

Gate-to-Emitter Voltage

t_sc

µs

V_GE

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and

121

P_D@ T_C= 25°C

100

P_D@ T_C= 100°C

T_J

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

1.2

Units

°C/W

g (oz)

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

0.24

–––

6 (0.21)

–––

www.irf.com

2/7/2000

12 3 4 5 6 7 8

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IRG4PH30K 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRG4PH30KPBF	INFINEON	完全替代	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT

与IRG4PH30K相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4PH30KD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PH30KDPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH30KPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT
IRG4PH40FD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PH40K	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.74V, @Vge=15V, Ic=15A)
IRG4PH40KD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PH40KD-E	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRG4PH40KDPBF	INFINEON	获取价格	INSUALATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH YLTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40K-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IRG4PH40KPBF	INFINEON	获取价格	Short Circuit Rated UltraFast IGBT

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