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IRG4PH30K

更新时间： 2024-01-02 08:39:26
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 161K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

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IRG4PH30K 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：6.08
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：170 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：42 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：640 ns
标称接通时间 (ton)：53 nsBase Number Matches：1

IRG4PH30K 数据手册

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PD -91580A  
IRG4PH30K  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
Features  
• High short circuit rating optimized for motor control,  
tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C,  
VCES = 1200V  
VGE = 15V  
• Combines low conduction losses with high  
switching speed  
VCE(on) typ. = 3.10V  
G
• Latest generation design provides tighter parameter  
distribution and higher efficiency than previous  
generations  
@VGE = 15V, IC = 10A  
E
n-channel  
Benefits  
• As a Freewheeling Diode we recommend our  
HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for  
minimum EMI / Noise and switching losses in the  
Diode and IGBT  
• Latest generation 4 IGBT's offer highest power  
density motor controls possible  
• This part replaces the IRGPH30K and IRGPH30M  
devices  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
1200  
V
IC @ TC = 25°C  
20  
IC @ TC = 100°C  
10  
A
ICM  
40  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
40  
tsc  
10  
20  
µs  
V
VGE  
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
121  
mJ  
W
PD @ TC = 25°C  
100  
PD @ TC = 100°C  
42  
TJ  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
1.2  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
–––  
40  
–––  
6 (0.21)  
–––  
www.irf.com  
1
2/7/2000  
12345678

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IRG4PH30K 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PH30KPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT

与IRG4PH30K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PH30KD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PH30KDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH30KPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT
IRG4PH40FD INFINEON

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 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PH40K INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.74V, @Vge=15V, Ic=15A)
IRG4PH40KD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PH40KD-E INFINEON

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 		暂无描述
IRG4PH40KDPBF INFINEON

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 		INSUALATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH YLTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40K-E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IRG4PH40KPBF INFINEON

获取价格

 		Short Circuit Rated UltraFast IGBT

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