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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.01 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 230 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 160 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1200 ns | 标称接通时间 (ton)： | 53 ns |
| VCEsat-Max： | 3.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PH40KPBF | INFINEON |
完全替代  |
Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PH40KD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty |
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| IRG4PH40KD-E | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRG4PH40KDPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSUALATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH YLTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRG4PH40K-E | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD |
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| IRG4PH40KPBF | INFINEON |
获取价格 |
Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
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| IRG4PH40MD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4PH40S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-247AC |
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| IRG4PH40SD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4PH40U | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A) |
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| IRG4PH40UD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty |
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