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IRG4PH40KPBF

更新时间: 2024-02-12 22:41:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 527K
描述
Short Circuit Rated UltraFast IGBT

IRG4PH40KPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.34
其他特性:LOW CONDUCTION LOSS外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):41 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE最大降落时间(tf):190 ns
门极发射器阈值电压最大值:3 V门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-247ACJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):160 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):690 ns
标称接通时间 (ton):49 nsBase Number Matches:1

IRG4PH40KPBF 数据手册

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PD - 95625  
IRG4PH40KPbF  
Lead-Free  
www.irf.com  
1
8/3/04  

IRG4PH40KPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PH40UPBF INFINEON

完全替代

Ultra Fast Speed IGBT
IRG4PC50WPBF INFINEON

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IRG4PC50UDPBF INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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IRG4PH40SD INFINEON

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Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PH40U INFINEON

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
IRG4PH40UD INFINEON

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PH40UD2 INFINEON

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-E INFINEON

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-EP INFINEON

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRG4PH40UD2-EPBF_15 INFINEON

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