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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH30N60BD1
IXGH30N60BD1 PDF预览

IXGH30N60BD1

更新时间： 2024-11-20 22:07:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
HiPerFASTTM IGBT with Diode

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IXGH30N60BD1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.63
Is Samacsys：N其他特性：FAST
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：60 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：190 ns门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：200 ns标称接通时间 (ton)：25 ns
Base Number Matches：1

IXGH30N60BD1 数据手册

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HiPerFASTTM IGBT  
with Diode  
VCES  
= 600 V  
IXGH 30N60BD1  
IXGT 30N60BD1  
IC25  
VCE(sat)  
=
=
60 A  
1.8 V  
tfi(typ)  
= 100 ns  
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
TO-268  
(IXGT)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
G
E
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C (TAB)  
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
60  
30  
A
A
A
TO-247 AD  
(IXGH)  
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
120  
G
C
E
SSOA  
(RBSOA)  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 W  
Clamped inductive load, L = 100 mH  
ICM = 60  
@ 0.8 VCES  
A
C (TAB)  
PC  
TC = 25°C  
200  
W
G = Gate,  
C = Collector,  
E = Emitter,  
TAB = Collector  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
• Internationalstandardpackage  
• ModeratefrequencyIGBTand  
antiparallelFREDinonepackage  
• Highcurrenthandlingcapability  
• NewestgenerationHDMOSTM  
process  
MaximumLeadandTabtemperatureforsoldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Md  
Mountingtorque, TO-247AD  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-247 AD  
TO-268  
6
4
g
g
• MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Applications  
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• DC choppers  
• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)  
• Switch-modeandresonant-mode  
powersupplies  
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250mA, VGE = 0 V  
IC = 250 mA, VCE = VGE  
600  
2.5  
V
5.0  
V
Advantages  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 150°C  
200  
3
mA  
mA  
• Space savings (two devices in one  
package)  
• High power density  
• Optimized Vce(sat) and switching  
speedsformediumfrequency  
application  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100  
nA  
V
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15 V  
1.8  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
98510C(7/00)  
1 - 5  
12345

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IXGH30N60BD1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STGW30NC60WD STMICROELECTRONICS

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STGW30NC60KD STMICROELECTRONICS

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 30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
STGW20NC60VD STMICROELECTRONICS

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 N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGH30N60BS ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
IXGH30N60BU1 IXYS

获取价格

 		HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH30N60BU1S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
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 		HiPerFAST IGBT
IXGH30N60C2 LITTELFUSE

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