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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH30N60C2
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IXGH30N60C2

更新时间： 2024-11-06 11:14:07
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IXYS 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 584K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGH30N60C2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：TO-247AD, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.59
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：70 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：250 ns标称接通时间 (ton)：30 ns
Base Number Matches：1

IXGH30N60C2 数据手册

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HiPerFASTTM IGBT  
VCES  
IC25  
= 600 V  
= 70 A  
IXGH 30N60C2  
IXGT 30N60C2  
VCE(sat) = 2.7 V  
tfityp  
C2-Class High Speed IGBTs  
= 32 ns  
TO-268 (IXGT)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
600  
600  
V
V
G
E
C (TAB)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C (limited by leads)  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1 ms  
70  
30  
150  
A
A
A
TO-247(IXGH)  
TAB)  
SSOA  
(RBSOA)  
PC  
VGE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 Ω  
Clamped inductive load @ ≤ 600 V  
TC = 25°C  
ICM = 60  
A
G
C
E
190  
W
G = Gate,  
C = Collector,  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
E = Emitter,  
TAB = Collector  
Features  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10s  
300  
°C  
z
Very high frequency IGBT  
Square RBSOA  
250  
°C  
z
z
z
High current handling capability  
MOS Gate turn-on  
Md  
Mounting torque (M3) (TO-247)  
1.13/10Nm/lb.in.  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
- drive simplicity  
Applications  
z
PFC circuits  
z
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
z
Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
z
AC motor speed control  
z
DC servo and robot drives  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250 µA, VCE = VGE  
2.5  
5.0  
V
z
DC choppers  
VCE = V  
T = 25°C  
50  
µA  
VGE = 0CVES  
TJJ = 150°C  
1
100  
2.7  
mA  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
IC = 24 A, VGE = 15 V  
nA  
VCE(sat)  
T = 25°C  
TJJ = 25°C  
V
V
2.0  
© 2005 IXYS All rights reserved  
DS99168A(01/05)  
12345

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与IXGH30N60C2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGH30N60C2D1 IXYS

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 		HiPerFAST IGBT with Diode
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 		GenX3 600V IGBT
IXGH30N60C3 LITTELFUSE

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 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
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 		GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD
IXGH31N60 IXYS

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 		Ultra-Low V IGBT with Diode

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