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IXGH30N60BU1

更新时间： 2024-09-15 22:07:07
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IXYS 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 142K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

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IXGH30N60BU1 数据手册

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HiPerFASTTM IGBT  
with Diode  
IXGH 30N60BU1  
IXGT 30N60BU1  
V
= 600 V  
60 A  
= 1.8 V  
tfiCE(sat) = 100 ns  
CES  
I
=
C25  
V
Combi Pack  
TO-268  
(IXGT)  
G
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
E
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
C (TAB)  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-247 AD  
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
60  
30  
A
A
A
TAB)  
TC = 110°C  
G
TC = 25°C, 1 ms  
120  
C
E
SSOA  
(RBSOA)  
VGE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 33 Ω  
Clamped inductive load, L = 100 µH  
ICM = 60  
@ 0.8 VCES  
A
G = Gate,  
E = Emitter,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
PC  
TC = 25°C  
200  
W
Features  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
Ÿ International standard packages  
JEDEC TO-247 SMD surface  
mountable and JEDEC TO-247 AD  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Ÿ High frequency IGBT and antiparallel  
FRED in one package  
Maximum Lead and Tab temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Ÿ High current handling capability  
Ÿ Newest generation HDMOSTM  
process  
Md  
Mounting torque, TO-247 AD  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-268  
TO-247 AD  
4
6
g
g
Ÿ MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Applications  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Ÿ AC motor speed control  
Ÿ DC servo and robot drives  
Ÿ DC choppers  
min. typ. max.  
Ÿ Uninterruptible power supplies (UPS)  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 750µA, VGE = 0 V  
BVCES temperature coefficient  
600  
2.5  
V
%/K  
0.072  
Ÿ Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
IC = 250 µA, VCE = VGE  
VGE(th) temperature coefficient  
5.5  
V
%/K  
-0.286  
Advantages  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 150°C  
500  
3
µA  
mA  
Ÿ Space savings (two devices in one  
package)  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100  
nA  
Ÿ High power density  
Ÿ Optimized VCE(sat) and switching  
speeds for medium frequency  
applications  
VCE(sat)  
VCE(sat)  
IC = IC110, VGE = 15 V  
IC = IC110, VGE = 15 V  
1.8  
2.0  
V
V
TJ = 150°C  
© 2002 IXYS All rights reserved  
97501E (02/02)  
12345

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IXGH30N60BU1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STGW35HF60WDI STMICROELECTRONICS

功能相似

 35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode
STGW30NC60KD STMICROELECTRONICS

功能相似

 30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGH30N60BU1S ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
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 		HiPerFAST IGBT
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