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IXGH30N60B

更新时间： 2024-09-15 21:55:35

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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2页	56K
描述
HiPerFASTTM IGBT

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IXGH30N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	其他特性：	FAST
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	190 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	200 ns	标称接通时间 (ton)：	25 ns
Base Number Matches：	1

IXGH30N60B 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH30N60B

IXGT30N60B

V_CES

I_C25

= 600 V

= 60 A

V_CE(sat)= 1.8 V

t_fi

= 100 ns

TO-247 AD

(IXGH)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (TAB)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

TO-268 (D3)

(IXGT)

T_C= 25°C, 1 ms

120

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 60

@ 0.8 V_CES

(TAB)

P_C

T_C= 25°C

200

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate,

C = Collector,

E = Emitter,

TAB = Collector

-55 ... +150

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-268 surface

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

mountable and JEDEC TO-247 AD

• Highcurrenthandlingcapability

• Latest generation HDMOS^TMprocess

• MOS Gate turn-on

Weight

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

BV_CEStemperaturecoefficient

600

2.5

%/K

0.072

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

V_GE(th)temperature coefficient

-0.286

%/K

Advantages

• Space savings (two devices in one

package)

• High power density

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 150°C

200

• Suitableforsurfacemounting

• Switching speed for high frequency

applications

• Easy to mount with 1 screw,TO-247

(isolatedmountingscrewhole)

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15 V

1.8

2.0

T_J= 150°C

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97516D(7/00)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH30N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH30N60B2	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH30N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
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IXGH30N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGH30N60BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247SMD
IXGH30N60BU1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH30N60BU1S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247SMD
IXGH30N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT

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