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IXGH30N60B2D1

更新时间： 2024-11-06 11:14:07

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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6页	601K
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HiPerFAST IGBT

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IXGH30N60B2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	70 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	350 ns	标称接通时间 (ton)：	30 ns
Base Number Matches：	1

IXGH30N60B2D1 数据手册

Advance Technical Data

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH 30N60B2D1

IXGT 30N60B2D1

V_CES

I_C25

= 600 V

= 70 A

V_CE(sat)< 1.8 V

t_fityp= 82 ns

Optimized for 10-25 KHz hard

switching and up to 150 KHz

resonant switching

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

600

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

150

TO-268(IXGT)

SSOA

(RBSOA)

P_C

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

Clamped inductive load @ ≤ 600 V

T_C= 25°C

I_CM= 60

C (TAB)

190

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate,

C = Collector,

E = Emitter,

TAB = Collector

Features

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Medium frequency IGBT

Square RBSOA

M_d

Mounting torque (M3) (TO-247)

1.13/10Nm/lb.in.

High current handling capability

MOS Gate turn-on

Weight

TO-247

TO-268

- drive simplicity

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

PFC circuits

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

2.5

5.0

power supplies

AC motor speed control

V_CE= V

T = 25°C

200

µA

V_GE= 0^CV^ES

T_J^J= 150°C

DC servo and robot drives

DC choppers

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= 24 A, V_GE= 15 V

100

1.8

V_CE(sat)

T_J= 25°C

DS99134A(04/04)

12 3 4 5 6

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IXGH30N60B2D1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HGTG20N60A4	ONSEMI	功能相似	IGBT，600V，SMPS
IGW60T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGW40T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

与IXGH30N60B2D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH30N60B4	IXYS	获取价格	High-Gain IGBT
IXGH30N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGH30N60BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247SMD
IXGH30N60BU1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH30N60BU1S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247SMD
IXGH30N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH30N60C2	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH30N60C2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH30N60C3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH30N60C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

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