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IXFT12N90Q PDF预览

IXFT12N90Q

更新时间： 2024-02-27 22:16:28
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
2页 58K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q Class

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IXFT12N90Q 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-268AA
包装说明：TO-268, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.69
其他特性：AVALANCHE RATED外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.9 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-268AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFT12N90Q 数据手册

 浏览型号IXFT12N90Q的Datasheet PDF文件第1页 
IXFH 12N90Q  
IXFT 12N90Q  
Symbol  
gfs  
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
TO-247 AD (IXFH) Outline  
VDS = 10 V; ID = 0.5 • ID25, pulse test  
6
10  
S
Ciss  
Coss  
Crss  
2900  
315  
50  
pF  
pF  
pF  
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
20  
23  
40  
15  
ns  
ns  
ns  
ns  
VGS = 10 V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 0.5 • ID25  
RG = 2 W (External),  
Qg(on)  
Qgs  
90  
30  
40  
nC  
nC  
nC  
Dim. Millimeter  
Inches  
Min. Max. Min. Max.  
VGS = 10 V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 0.5 • ID25  
A
B
19.81 20.32 0.780 0.800  
20.80 21.46 0.819 0.845  
Qgd  
C
D
15.75 16.26 0.610 0.640  
3.55 3.65 0.140 0.144  
RthJC  
RthCK  
0.42  
K/W  
K/W  
E
F
4.32 5.49 0.170 0.216  
(TO-247)  
0.25  
5.4  
6.2 0.212 0.244  
G
H
1.65 2.13 0.065 0.084  
-
4.5  
-
0.177  
J
K
1.0  
1.4 0.040 0.055  
Source-DrainDiode  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
10.8 11.0 0.426 0.433  
L
M
4.7  
0.4  
5.3 0.185 0.209  
0.8 0.016 0.031  
Symbol  
IS  
TestConditions  
N
1.5 2.49 0.087 0.102  
VGS = 0 V  
12  
48  
A
ISM  
Repetitive; pulse width limited by TJM  
A
V
VSD  
IF = IS, VGS = 0 V,  
1.3  
Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %  
trr  
QRM  
IRM  
200  
0.6  
7
ns  
mC  
A
IF = IS, -di/dt = 100 A/ms, VR = 100 V  
TO-268AA (D3 PAK)  
Dim.  
Millimeter  
Min. Max.  
Inches  
Min. Max.  
Min. Recommended Footprint  
A
A1  
A2  
4.9  
2.7  
.02  
5.1  
2.9  
.25  
.193 .201  
.106 .114  
.001 .010  
b
b2  
C
1.15  
1.9  
.4  
1.45  
2.1  
.65  
.045 .057  
.75  
.83  
.016 .026  
D
E
E1  
13.80 14.00  
15.85 16.05  
.543 .551  
.624 .632  
.524 .535  
13.3  
5.45 BSC  
18.70 19.10  
13.6  
e
H
L
.215 BSC  
.736 .752  
.094 .106  
2.40  
2.70  
L1  
L2  
L3  
L4  
1.20  
1.00  
0.25 BSC  
1.40  
1.15  
.047 .055  
.039 .045  
.010 BSC  
3.80  
4.10  
.150 .161  
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:  
© 2000 IXYS All rights reserved  
2 - 2  
4,835,592  
4,850,072  
4,881,106  
4,931,844  
5,017,508  
5,034,796  
5,049,961  
5,063,307  
5,187,117  
5,237,481  
5,486,715  
5,381,025  
12

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