IRFPS29N60L

更新时间： 2024-09-21 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
9页	179K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFPS29N60L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-274AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-X3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.17	雪崩能效等级（Eas）：	570 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	29 A
最大漏极电流 (ID)：	29 A	最大漏源导通电阻：	0.21 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-274AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-X3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	480 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFPS29N60L 数据手册

IRFPS29N60L, SiHFPS29N60L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• Super Fast Body Diode Eliminates the Need

for External Diodes in ZVS Applications

V_DS(V)

600

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.175

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

220

• Lower Gate Charge Results in Simpler Drive

Requirements

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Enhances dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

Configuration

Single

• Higher Gate Voltage Threshold Offer Improved Noise

Immunity

SUPER-247^TM

• Lead (Pb)-free Available

APPLICATIONS

• Zero Voltage Switching SMPS

• Telecom and Server Power Supplies

• Uninterruptible Power Supplies

• Motor Control Applications

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

SUPER-247^TM

IRFPS29N60LPbF

SiHFPS29N60L-E3

IRFPS29N60L

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFPS29N60L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

600

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

110

Linear Derating Factor

3.8

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

570

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

480

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 1.5 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 29 A (see fig.12a).

c. I_SD≤ 29 A, dI/dt ≤ 830 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91255

S-81359-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与IRFPS29N60L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFPS29N60LPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFPS29N60LPBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFPS30N60K	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFPS30N60KPBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFPS35N50L	INFINEON	获取价格	HEXFETPower MOSFET
IRFPS35N50L	VISHAY	获取价格	IRFPS35N50L
IRFPS35N50LPBF	VISHAY	获取价格	IRFPS35N50L
IRFPS35N50LPBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFPS37N50	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A)
IRFPS37N50A	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A)

与IRFPS29N60L相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

34
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

31
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

104
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

100

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFPS29N60L

IRFPS29N60L 技术参数

IRFPS29N60L 数据手册

与IRFPS29N60L相关器件

与IRFPS29N60L相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFPS29N60L

IRFPS29N60L 技术参数

IRFPS29N60L 数据手册

与IRFPS29N60L相关器件

与IRFPS29N60L相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？