IRFPS43N50KPBF

更新时间： 2024-11-28 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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RFPS43N50K

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IRFPS43N50KPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.34
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	910 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	47 A	最大漏极电流 (ID)：	47 A
最大漏源导通电阻：	0.09 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	540 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	190 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFPS43N50KPBF 数据手册

IRFPS43N50K, SiHFPS43N50K

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.078

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

350

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

180

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Low R_DS(on)

• Lead (Pb)-free Available

SUPER-247^TM

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

• Hard Switched and High Frequency Circuits

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

SUPER-247^TM

IRFPS43N50KPbF

SiHFPS43N50K-E3

IRFPS43N50K

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFPS43N50K

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

190

Linear Derating Factor

4.3

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

910

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

540

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

9.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 0.82 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 47 A (see fig. 12c).

c. I_SD≤ 47 A, dI/dt ≤ 230 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91262

S-81367-Rev. B, 21-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFPS59N60C	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFPS59N60CPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFPS60N50C	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFPS60N50CPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 500V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFQ110	SEME-LAB	获取价格	QUAD N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFETS
IRFQ110		获取价格	Quad MOSFET
IRFR	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.21ohm, Id=9.4A)
IRFR	KERSEMI	获取价格	Ultra Low On-Resistance
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