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IRFPS59N60CPBF

更新时间： 2024-11-28 19:35:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	53K
描述
Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPER-247, 3 PIN

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IRFPS59N60CPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	59 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFPS59N60CPBF 数据手册

PD - 90380

PROVISIONAL

IRFPS59N60C

SMPS MOSFET

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

600V

R_DS(on)max

I_D

59A

l Switch Mode Power Supply (SMPS)

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

0.045Ω

Benefits

l Low Gate Charge Qg Reduces Drive

Required

l Improved Gate Resistance for Faster

Switching

l Fully Characterized Capacitance and

Avalanche Voltage and Current

l Lowest Conduction Loss in Package

Outline

Super-247™

l Effective C_OSSspecified (See AN 1001)

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

240

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

390

W/°C

Linear Derating Factor

3.1

± 20

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

TBD

V/ns

-40 to + 150

-55 to + 150

300 (1.6mm from case )

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Recommended clip force

Applicable Off Line SMPS Topologies:

l Power Factor Correction Boost

l Full Bridge

www.irf.com

11/2/99

12 3

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