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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 600 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.043 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFQ110 | SEME-LAB |
获取价格 |
QUAD N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFETS |
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| IRFQ110 |
获取价格 |
Quad MOSFET |
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| IRFR | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.21ohm, Id=9.4A) |
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| IRFR | KERSEMI |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRFR/U1010Z | KERSEMI |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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| IRFR/U1205PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRFR/U130A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFR/U220A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFR/U2307ZPBF | KERSEMI |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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| IRFR/U2405 | KERSEMI |
获取价格 |
Surface Mount (IRFR2405) |
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