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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR010, SiHFR010 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR010PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR010PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR010-T1 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR010TR | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR010TRL | VISHAY |
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暂无描述 |
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| IRFR010TRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR010TRLPBF | VISHAY |
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TRANSISTOR 8.2 A, 50 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, FET General Purpo |
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| IRFR010TRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR012 | INFINEON |
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AVALANCHE AND dv/dt RATED |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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