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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR012-T1 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR012TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR014 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFR014 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A) |
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| IRFR014 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR014 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR014_10 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR014A | FAIRCHILD |
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ADVANCED POWER MOSFET |
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| IRFR014PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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