5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 1.4 mJ |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 25 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 53 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 67 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR014_10 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR014A | FAIRCHILD |
获取价格 |
ADVANCED POWER MOSFET |
|
| IRFR014PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFR014PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR014PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR014-T1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFR014TR | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR014TR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR014TRL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
