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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR020_10 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR020PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR020TR | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR020TR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR020TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFR020TRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFR020TRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR020TRR | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFR020TRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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