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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1.4 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 27 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 53 ns | 最大开启时间（吨）： | 67 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR015-T1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFR020 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETR Power MOSFET |
|
| IRFR020 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR020_10 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR020PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR020TR | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR020TR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR020TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFR020TRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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