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IRFR024NTR

更新时间： 2024-11-29 17:15:43

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
7页	514K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:14A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:75mΩ@10V

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IRFR024NTR 数据手册

UMW

IRFR024N

Description

The D-PAK is designed for surface mounting

using vapor phase, infrared,or wave soldering

technigues. Power dissipation levels up to 1.5

watts are possible in typical surface mount app-

lications.

Features

V_DS(V) = 55V

I_D= 17A (V_GS= 10V)

R_DS(ON)=75mΩ (V_GS= 10V)

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR024NTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR024NTRL	KERSEMI	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR024NTRLPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR024NTRPBF	INFINEON	获取价格	HEXFETÂ® Power MOSFET
IRFR024NTRR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR024NTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR024PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR024PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR024PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR024R	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET