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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.06 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 71 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 38 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR024NTRL | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR024NTRL | KERSEMI |
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Ultra Low On-Resistance |
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| IRFR024NTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRFR024NTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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| IRFR024NTRR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFR024NTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR024PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR024PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFR024PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR024R | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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