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IRFR024A

更新时间： 2024-01-13 23:37:44
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其他 - ETC 晶体晶体管
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7页 219K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA

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IRFR024A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.05雪崩能效等级（Eas）：91 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：42 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR024A 数据手册

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IRFR/U024A  
FEATURES  
BVDSS = 60 V  
RDS(on) = 0.07Ω  
ID = 15 A  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
♦
♦
♦
♦
♦
♦
♦
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
D-PAK  
I-PAK  
Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ VDS = 60V  
µ
Lower RDS(ON): 0.050 (Typ.)  
2
Ω
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
60  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (TC=25°C)  
Continuous Drain Current (TC=100°C)  
Drain Current-Pulsed  
15  
ID  
A
9.5  
60  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
(1)  
A
V
Gate-to-Source Voltage  
20  
±
(2)  
(1)  
(1)  
(3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
154  
15  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
3
mJ  
V/ns  
W
5.5  
2.5  
30  
*
Total Power Dissipation (TA=25°C)  
Total Power Dissipation (TC=25°C)  
Linear Derating Factor  
PD  
W
0.24  
W/°C  
Operating Junction and  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
°C  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJC  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Junction-to-Case  
--  
--  
--  
4.14  
50  
RθJA  
*
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
RθJA  
110  
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
*
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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