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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.07 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 71 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 17 A | 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 38 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR024NTRLPBF | INFINEON |
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Ultra Low On-Resistance |
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| IRFR024NTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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| IRFR024NTRR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFR024NTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR024PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR024PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFR024PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR024R | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR024TR | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR024TR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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