IRFR024N

更新时间： 2024-11-27 22:51:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)

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IRFR024N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DPAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	71 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	17 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR024N 数据手册

PD- 9.1336A

IRFR/U024N

HEXFET^®Power MOSFET

PRELIMINARY

l Ultra Low On-Resistance

l Surface Mount (IRFR024N)

l Straight Lead (IRFU024N)

l Advanced Process Technology

l Fast Switching

V_DSS= 55V

R_DS(on)= 0.075Ω

l Fully Avalanche Rated

I_D= 17Aꢀ

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced

processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per

silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for,

provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide

variety of applications.

D -Pak

TO -252AA

I-Pak

TO -251AA

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or

wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for

through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts

are possible in typical surface mount applications.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

0.30

± 20

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

4.5

5.0

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

3.3

Units

R_θJC

R_θJA

Case-to-Ambient (PCB mount)**

Junction-to-Ambient

°C/W

–––

110

** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ) .

For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994

www.irf.com

12 3 4 5 6 7...10

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与IRFR024N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR024NPBF	KERSEMI	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR024NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR024NTR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR024NTR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFR024NTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR024NTRL	KERSEMI	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR024NTRLPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR024NTRPBF	INFINEON	获取价格	HEXFETÂ® Power MOSFET
IRFR024NTRR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR024NTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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