5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFR1205TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Ultra Low On-Resistance |
|
| IRFR024NTRPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRFR1205PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR024NTR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR024NTR | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
|
| IRFR024NTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR024NTRL | KERSEMI |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
|
| IRFR024NTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
|
| IRFR024NTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRFR024NTRR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFR024NTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR024PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR024PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
