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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DPAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3/2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | 雪崩能效等级（Eas）： | 154 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR024N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=1 |
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| IRFR024N | FREESCALE |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRFR024NPBF | KERSEMI |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRFR024NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFR024NTR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR024NTR | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IRFR024NTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR024NTRL | KERSEMI |
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Ultra Low On-Resistance |
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| IRFR024NTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
|
| IRFR024NTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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