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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR024, IRFU024, SiHFR024, SiHFU024 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR024_10 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR024A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA |
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| IRFR024ATF | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR024N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=1 |
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| IRFR024N | FREESCALE |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRFR024NPBF | KERSEMI |
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Ultra Low On-Resistance |
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| IRFR024NPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFR024NTR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR024NTR | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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