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IRFR012-T1

更新时间: 2024-11-29 08:11:51
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三星 - SAMSUNG /
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5页 169K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

IRFR012-T1 数据手册

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