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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFR010TRLPBF | VISHAY |
完全替代  |
TRANSISTOR 8.2 A, 50 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, FET General Purpo |
|
| IRFR010PBF | VISHAY |
完全替代 |
Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR010TRL | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFR010TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFR010TRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 8.2 A, 50 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, FET General Purpo |
|
| IRFR010TRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFR012 | INFINEON |
获取价格 |
AVALANCHE AND dv/dt RATED |
|
| IRFR012-T1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFR012TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFR014 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| IRFR014 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A) |
|
| IRFR014 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
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