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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 1.4 mJ |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 25 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 53 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 67 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR010, SiHFR010 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR010PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR010PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR010-T1 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR010TR | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR010TRL | VISHAY |
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暂无描述 |
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| IRFR010TRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFR010TRLPBF | VISHAY |
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TRANSISTOR 8.2 A, 50 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, FET General Purpo |
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| IRFR010TRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR012 | INFINEON |
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AVALANCHE AND dv/dt RATED |
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